工研院攜手陽交、清大創新合作 可應用量子電腦與半導體

工研院攜手陽交、清大創新合作 可應用量子電腦與半導體

工研院攜手國立陽明交通大學,在全球頂尖的研發會上,發表新型磁性記憶體。(圖/工研院提供)

創新研發!工研院攜手國立陽明交通大學與國立清華大學,在超大型積體技術及電路國際會議、IEEE國際微波會議上,分別發表「新型磁性記憶體」與「110GHz超高頻模型」兩項成果論文。前者適用主流先進製程所需AI高速運算能力及製程微縮需求,後者可優化半導體產業界模型。

工研院電子與光電系統所所長張世傑表示,AI人工智慧、5G 時代來臨,快速處理大量資料的需求暴增,由於磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)具有高寫入與讀取速度,兼具快閃記憶體非揮發性,工研院多年前展開研究,成功開發出國際領先的磁性記憶體與相關運算技術。

這次工研院攜手陽明交大共同發表新型單極化磁性記憶體Unipolar-MRAM,一般要寫入資訊必須要透過雙向電壓來控制,新型磁性記憶體只要利用單向電壓即可存儲和讀取數據,在簡單的交點式結構達成高度元件微縮,不但較傳統磁性記憶體具有更高存取速度、低功耗和更長的數據保持時間,更可與既有的二極體與相關製程整合,實現較以往更高的儲存密度。

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未來數據存儲解決方案除了可應用在物聯網設備、智慧手機、車載電子和人工智能等領域,在量子電腦、航太領域等前瞻應用更是潛力強大。

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另爲了強化B5G、6G國產化產業鏈,工研院多年前從磊晶上游端串聯國內基板、半導體晶圓代工、封裝與網通等業者,建立完整的產業鏈,並與清大教授徐碩鴻團隊在元件開發、自主模型建立、電路設計上合作,突破高頻電路效能。

今年雙方也合作在IEEE發表基於自主超高頻模型下實現110GHz振盪器電路創新成果。在0.15um的氮化鎵製程下,可達到世界最高頻110GHz振盪器記綠。且技術團隊提出的自主三端電路模型爲新結構自主模型,不僅可優化業界半導體廠提供的模型,更在110GHz高頻達到極高準確度,未來將以此關鍵技術持續拓展國際合作契機。

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